BS EN 60851-5-1998 绕组线试验方法.电性能

作者:标准资料网 时间:2024-05-21 11:45:09   浏览:9552   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:WindingWires-Testmethods-Electricalproperties
【原文标准名称】:绕组线试验方法.电性能
【标准号】:BSEN60851-5-1998
【标准状态】:作废
【国别】:英国
【发布日期】:1998-10-15
【实施或试行日期】:1998-10-15
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:介电性能;击穿电压;电性质和电现象;圆导线;扁线;瓷漆的;电故障;缺陷与故障;绞合线;电阻;电线;电压;电性能;电阻率;损耗因数;绝缘线;漆包线;金属线;绕组线;测量;试验;特性;电气工程;规范(验收)
【英文主题词】:Breakdownvoltage;Defects;Dielectricproperties;Dissipationfactor;Electricwires;Electricalengineering;Electricalfaults;Electricalproperties;Electricalpropertiesandphenomena;Electricalresistance;Electricalresistivity;Enamelled;Enamelledwires;Flatwires;Insulatedwires;Measurement;Properties;Roundwires;Specification(approval);Strands;Testing;Voltage;Windingwires;Wires
【摘要】:ThispartofIEC851specifiesthefollowingtests:-Test5:Electricalresistance;-Test13:Breakdownvoltage;-Test14:Continuityofinsulation;-Test19:Dielectricdissipationfactor.Fordefinitions,generalnotesonmethodsoftestandthecompleteseriesofmethodsoftestforwindingwiresseeIEC851-1.
【中国标准分类号】:K12
【国际标准分类号】:29_060_10
【页数】:22P;A4
【正文语种】:英语


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【英文标准名称】:Hardwareforfurniture—Termsforlockingmechanisms
【原文标准名称】:家具五金件.锁紧机构术语
【标准号】:BSPDCEN/TR16015-2010
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2010-05-31
【实施或试行日期】:2010-05-31
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:ThisTechnicalReportspecifiestermsforalltypesoflockingmechanismsforallfieldsofapplication.Withtheaidoffiguresitestablishesdifferenttypes,withtheaimoffacilitatingcomprehensionofthetechnicallanguage.
【中国标准分类号】:Y73
【国际标准分类号】:01_040_97;97_140
【页数】:36P.;A4
【正文语种】:英语


基本信息
标准名称:重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称:Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
替代情况:替代GB/T 14847-1993
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2011-01-10
实施日期:2011-10-01
首发日期:1993-12-30
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人:李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
出版社:中国标准出版社
出版日期:2011-10-01
页数:12页
书号:155066·1-42666
适用范围

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。

前言

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引用标准

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GB/T1552 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T6379.2 测量方法与结果的准确度(正确度与精密度) 第2部分:确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法
GB/T14264 半导体材料术语

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料